TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

codice articolo del costruttore

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Numero parte interna

AX-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1012130 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Serie : U-MOSVI

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (massimo) : +10V, -20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 27W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK+

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Schede tecniche : TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf

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