NP33N06YDG-E1-AY - MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

codice articolo del costruttore

NP33N06YDG-E1-AY

Numero parte interna

AX-NP33N06YDG-E1-AY

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

66710 Pieces

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Specifiche per NP33N06YDG-E1-AY

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NP33N06YDG-E1-AY

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta), 97W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-HSON

Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NP33N , NP33N06Y

Documenti per NP33N06YDG-E1-AY

Schede tecniche : NP33N06YDG-E1-AY.pdf

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