IRFH5020TRPBF - MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
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MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRFH5020TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRFH5020TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRFH5020TRPBF
Schede tecniche : IRFH5020TRPBF.pdf
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