EDB5432BEBH-1DAAT-F-D - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

codice articolo del costruttore

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Numero parte interna

AX-EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

fabbricante

Micron Technology Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

100050 Pieces

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Specifiche per EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

fabbricante : Micron Technology Inc.

Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria : 512Mb (16M x 32)

Frequenza di clock : 533MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : -

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.14V ~ 1.95V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 134-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 134-VFBGA (10x11.5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EDB5432 , EDB5432BEB

Documenti per EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Schede tecniche : EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.pdf

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