2SK2009TE85LF - MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

codice articolo del costruttore

2SK2009TE85LF

Numero parte interna

AX-2SK2009TE85LF

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

2493235 Pieces

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Specifiche per 2SK2009TE85LF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2SK2009TE85LF

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 50MA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 3V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 200mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-59-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per 2SK2009TE85LF

Schede tecniche : 2SK2009TE85LF.pdf

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