IPL60R650P6SATMA1 - MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

codice articolo del costruttore

IPL60R650P6SATMA1

Numero parte interna

AX-IPL60R650P6SATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

743645 Pieces

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Specifiche per IPL60R650P6SATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPL60R650P6SATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 8THINPAK

Serie : CoolMOS™ P6

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 557pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 56.8W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-ThinPak (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPL60 , IPL60R65

Documenti per IPL60R650P6SATMA1

Schede tecniche : IPL60R650P6SATMA1.pdf

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