IRF7473TRPBF - MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IRF7473TRPBF

Numero parte interna

AX-IRF7473TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

710600 Pieces

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Specifiche per IRF7473TRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF7473TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3180pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF7 , IRF747

Documenti per IRF7473TRPBF

Schede tecniche : IRF7473TRPBF.pdf

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