BSC018NE2LSIATMA1 - MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

codice articolo del costruttore

BSC018NE2LSIATMA1

Numero parte interna

AX-BSC018NE2LSIATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

799055 Pieces

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Specifiche per BSC018NE2LSIATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSC018NE2LSIATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 12V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSC01 , BSC018NE

Documenti per BSC018NE2LSIATMA1

Schede tecniche : BSC018NE2LSIATMA1.pdf

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