FQPF19N10 - MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

codice articolo del costruttore

FQPF19N10

Numero parte interna

AX-FQPF19N10

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

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790055 Pieces

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Specifiche per FQPF19N10

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQPF19N10

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Serie : QFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13.6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 38W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQP , FQPF

Documenti per FQPF19N10

Schede tecniche : FQPF19N10.pdf

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