IRF1018EPBF - MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

codice articolo del costruttore

IRF1018EPBF

Numero parte interna

AX-IRF1018EPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

346370 Pieces

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Specifiche per IRF1018EPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF1018EPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 79A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 110W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRF10

Documenti per IRF1018EPBF

Schede tecniche : IRF1018EPBF.pdf

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