IPI126N10N3 G - MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
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Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
9944 Pieces
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Specifiche per IPI126N10N3 G
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPI126N10N3 G
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.6 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 94W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IPI126N10N3 G
Schede tecniche : IPI126N10N3 G.pdf
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