SI7190DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8

codice articolo del costruttore

SI7190DP-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SI7190DP-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

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Specifiche per SI7190DP-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI7190DP-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18.4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 118 mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2214pF @ 125V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 5.4W (Ta), 96W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI719 , SI7190D

Documenti per SI7190DP-T1-GE3

Schede tecniche : SI7190DP-T1-GE3.pdf

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