SSM6J213FE(TE85L,F - MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
4723300 Pieces
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Specifiche per SSM6J213FE(TE85L,F
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SSM6J213FE(TE85L,F
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Serie :
U-MOSVI
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
4.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
500mW (Ta)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
ES6
Pacchetto / caso :
SOT-563, SOT-666
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SSM6J213FE(TE85L,F
Schede tecniche :
SSM6J213FE(TE85L,F.pdf
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