FQPF11P06 - MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
Stato RoHS
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Specifiche per FQPF11P06

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FQPF11P06
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
Serie : QFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 30W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : FQP , FQPF

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Schede tecniche : FQPF11P06.pdf

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