NTMSD6N303R2G - MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

NTMSD6N303R2G

Numero parte interna

AX-NTMSD6N303R2G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

65025 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha NTMSD6N303R2G in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per NTMSD6N303R2G. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per NTMSD6N303R2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NTMSD6N303R2G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Serie : FETKY™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 24V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NTMS , NTMSD6

Documenti per NTMSD6N303R2G

Schede tecniche : NTMSD6N303R2G.pdf

Prodotti correlati per NTMSD6N303R2G ON Semiconductor

Numero parte	Marca	Descrizione
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 20KV SCREW.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV AXIAL.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV R85.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.