1N6479HE3/96 - DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

codice articolo del costruttore

1N6479HE3/96

Numero parte interna

AX-1N6479HE3/96

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3325320 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per 1N6479HE3/96

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N6479HE3/96

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Serie : SUPERECTIFIER®

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-213AB, MELF (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-213AB

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1N64 , 1N6479

Documenti per 1N6479HE3/96

Schede tecniche : 1N6479HE3/96.pdf

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