IRF7313PBF - MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Stato RoHS
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Specifiche per IRF7313PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF7313PBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Stato parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IRF , IRF73

Documenti per IRF7313PBF

Schede tecniche : IRF7313PBF.pdf

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