DMG3415UFY4Q-7 - MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

codice articolo del costruttore

DMG3415UFY4Q-7

Numero parte interna

AX-DMG3415UFY4Q-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2652180 Pieces

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Specifiche per DMG3415UFY4Q-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMG3415UFY4Q-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 16V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 282pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 650mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : X2-DFN2015-3

Pacchetto / caso : 3-XDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMG3 , DMG3415

Documenti per DMG3415UFY4Q-7

Schede tecniche : DMG3415UFY4Q-7.pdf

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