FDN359BN - MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

codice articolo del costruttore

FDN359BN

Numero parte interna

AX-FDN359BN

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

3341480 Pieces

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Specifiche per FDN359BN

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDN359BN

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FD , FDN3

Documenti per FDN359BN

Schede tecniche : FDN359BN.pdf

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