FQI27N25TU-F085 - MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

codice articolo del costruttore

FQI27N25TU-F085

Numero parte interna

AX-FQI27N25TU-F085

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

10880 Pieces

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Specifiche per FQI27N25TU-F085

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQI27N25TU-F085

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 12.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.13W (Ta), 417W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK (TO-262)

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQI27 , FQI27N2

Documenti per FQI27N25TU-F085

Schede tecniche : FQI27N25TU-F085.pdf

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