SI3585CDV-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI3585CDV-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI3585CDV-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 10V
Potenza - Max : 1.4W, 1.3W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI3585CDV-T1-GE3
Schede tecniche : SI3585CDV-T1-GE3.pdf
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