PMV45EN2R - MOSFET N-CH 30V SOT23

codice articolo del costruttore

PMV45EN2R

Numero parte interna

AX-PMV45EN2R

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V SOT23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4040145 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per PMV45EN2R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMV45EN2R

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 30V SOT23

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.3nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 209pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 510mW (Ta), 5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-236AB

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per PMV45EN2R

Schede tecniche : PMV45EN2R.pdf

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