SI7501DN-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
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MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI7501DN-T1-E3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI7501DN-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel, Common Drain
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 1.6W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8 Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI7501DN-T1-E3
Schede tecniche : SI7501DN-T1-E3.pdf
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