IRFD224 - MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRFD224
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
451500 Pieces
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Specifiche per IRFD224
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRFD224
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
630mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 380mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
260pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRFD224
Schede tecniche :
IRFD224.pdf
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