SI4562DY-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
28238 Pieces
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Specifiche per SI4562DY-T1-E3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI4562DY-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI4562DY-T1-E3
Schede tecniche : SI4562DY-T1-E3.pdf
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