SI8416DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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1628725 Pieces
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Specifiche per SI8416DB-T2-E1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI8416DB-T2-E1
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1470pF @ 4V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.77W (Ta), 13W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Pacchetto / caso :
6-UFBGA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI8416DB-T2-E1
Schede tecniche :
SI8416DB-T2-E1.pdf
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