MT47H512M4EB-3:C - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
37002 Pieces
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Specifiche per MT47H512M4EB-3:C
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
MT47H512M4EB-3:C
fabbricante :
Micron Technology Inc.
Descrizione :
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo di memoria :
Volatile
Formato di memoria :
DRAM
Tecnologia :
SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria :
2Gb (512M x 4)
Frequenza di clock :
333MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina :
15ns
Tempo di accesso :
450ps
Interfaccia di memoria :
Parallel
Tensione - Fornitura :
1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio :
0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
60-FBGA (9x11.5)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per MT47H512M4EB-3:C
Schede tecniche :
MT47H512M4EB-3:C.pdf
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