APTM120DA68T1G - MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

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fabbricante
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MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per APTM120DA68T1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APTM120DA68T1G
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 816 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6696pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 357W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SP1
Pacchetto / caso : SP1
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : APTM , APTM120

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Schede tecniche : APTM120DA68T1G.pdf

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