EPC2101ENGRT - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-EPC2101ENGRT
fabbricante
Breve descrizione
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
97940 Pieces
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Specifiche per EPC2101ENGRT
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
EPC2101ENGRT
fabbricante :
EPC
Descrizione :
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Serie :
eGaN®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 30V
Potenza - Max :
-
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
Die
Pacchetto dispositivo fornitore :
Die
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per EPC2101ENGRT
Schede tecniche :
EPC2101ENGRT.pdf
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