IXFH9N80Q - MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFH9N80Q
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
60495 Pieces
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Specifiche per IXFH9N80Q
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXFH9N80Q
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Serie :
HiPerFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
180W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso :
TO-247-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXFH9N80Q
Schede tecniche :
IXFH9N80Q.pdf
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