2SK3868(Q,M) - MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

codice articolo del costruttore

2SK3868(Q,M)

Numero parte interna

AX-2SK3868(Q,M)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8016 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha 2SK3868(Q,M) in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per 2SK3868(Q,M). La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per 2SK3868(Q,M)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2SK3868(Q,M)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 35W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220SIS

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2SK3 , 2SK386

Documenti per 2SK3868(Q,M)

Schede tecniche : 2SK3868(Q,M).pdf

Prodotti correlati per 2SK3868(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

Numero parte	Marca	Descrizione
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3300PF 100V BX 0805.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
WF165336WQ75233BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
CDR01BX102BKZSAT	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.