CY7S1061GE30-10BVM - 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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23112 Pieces
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Specifiche per CY7S1061GE30-10BVM
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : CY7S1061GE30-10BVM
fabbricante : Cypress Semiconductor Corp
Descrizione : 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : SRAM
Tecnologia : SRAM - Synchronous
Dimensione della memoria : 16Mb (1M x 16)
Frequenza di clock : -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 10ns
Tempo di accesso : 10ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 2.2V ~ 3.6V
temperatura di esercizio : -55°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 48-VFBGA (6x8)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per CY7S1061GE30-10BVM
Schede tecniche : CY7S1061GE30-10BVM.pdf
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