CY7S1061GE30-10BVM - 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
23112 Pieces
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Specifiche per CY7S1061GE30-10BVM
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
CY7S1061GE30-10BVM
fabbricante :
Cypress Semiconductor Corp
Descrizione :
16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo di memoria :
Volatile
Formato di memoria :
SRAM
Tecnologia :
SRAM - Synchronous
Dimensione della memoria :
16Mb (1M x 16)
Frequenza di clock :
-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina :
10ns
Tempo di accesso :
10ns
Interfaccia di memoria :
Parallel
Tensione - Fornitura :
2.2V ~ 3.6V
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
48-VFBGA (6x8)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per CY7S1061GE30-10BVM
Schede tecniche :
CY7S1061GE30-10BVM.pdf
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