FQD2N100TM - MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FQD2N100TM
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
775965 Pieces
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Specifiche per FQD2N100TM
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FQD2N100TM
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Serie :
QFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D-Pak
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FQD2N100TM
Schede tecniche :
FQD2N100TM.pdf
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