IPC302N08N3X1SA1 - MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL

codice articolo del costruttore

IPC302N08N3X1SA1

Numero parte interna

AX-IPC302N08N3X1SA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

162125 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IPC302N08N3X1SA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPC302N08N3X1SA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Tj)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : Sawn on foil

Pacchetto / caso : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPC30 , IPC302N0

Documenti per IPC302N08N3X1SA1

Schede tecniche : IPC302N08N3X1SA1.pdf

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