IPB60R060C7ATMA1 - MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

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Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IPB60R060C7ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPB60R060C7ATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
Serie : CoolMOS™ C7
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2850pF @ 400V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 162W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-3
Pacchetto / caso : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IPB60 , IPB60R06

Documenti per IPB60R060C7ATMA1

Schede tecniche : IPB60R060C7ATMA1.pdf

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