IPB050N06NGATMA1 - MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
9238 Pieces
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Specifiche per IPB050N06NGATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPB050N06NGATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Serie :
OptiMOS™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
167nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
6100pF @ 30V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
300W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPB050N06NGATMA1
Schede tecniche :
IPB050N06NGATMA1.pdf
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