CSD17577Q3AT - MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per CSD17577Q3AT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : CSD17577Q3AT
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2310pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 53W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSONP (3x3.15)
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : CSD17577Q3AT.pdf

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