NTLJS3A18PZTXG - MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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17584 Pieces
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Specifiche per NTLJS3A18PZTXG
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NTLJS3A18PZTXG
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2240pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
700mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso :
6-WDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NTLJS3A18PZTXG
Schede tecniche :
NTLJS3A18PZTXG.pdf
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