FQPF3N80C - MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FQPF3N80C
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
262700 Pieces
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Specifiche per FQPF3N80C
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FQPF3N80C
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
Serie : QFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 705pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 39W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per FQPF3N80C
Schede tecniche : FQPF3N80C.pdf
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