VS-10ETS12S-M3 - DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

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Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per VS-10ETS12S-M3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : VS-10ETS12S-M3
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Corrente: media rettificata (Io) : 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 10A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 50µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK
Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : VS-1 , VS-10ET

Documenti per VS-10ETS12S-M3

Schede tecniche : VS-10ETS12S-M3.pdf

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