M474A1K43DB1-CTD - DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 9 Sample

codice articolo del costruttore

M474A1K43DB1-CTD

Numero parte interna

AX-M474A1K43DB1-CTD

fabbricante

Samsung Semiconductor

Breve descrizione

DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 9 Sample

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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Specifiche per M474A1K43DB1-CTD

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : M474A1K43DB1-CTD

fabbricante : Samsung Semiconductor

Descrizione : DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 9 Sample

Serie : DDR3

DDR : DDR4

Dimm Tipo : ECC SODIMM

Densità : 8 GB

Classifica x Org. : 1R x 8

Velocità : 2666 Mbps

Voltaggio : 1.2 V

Numero Pin : 260

Composizione componente : (1G x 8) x 9

Stato prodotto : Sample

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : M474A , M474A1K4

Documenti per M474A1K43DB1-CTD

Schede tecniche : M474A1K43DB1-CTD.pdf

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