NVMFD5873NLWFT1G - MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
416840 Pieces
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Specifiche per NVMFD5873NLWFT1G
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : NVMFD5873NLWFT1G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1560pF @ 25V
Potenza - Max : 3.1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per NVMFD5873NLWFT1G
Schede tecniche : NVMFD5873NLWFT1G.pdf
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