EGL41BHE3_A/I - DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
3793970 Pieces
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Specifiche per EGL41BHE3_A/I
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
EGL41BHE3_A/I
fabbricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Corrente: media rettificata (Io) :
1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore :
DO-213AB
Temperatura operativa - Giunzione :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per EGL41BHE3_A/I
Schede tecniche :
EGL41BHE3_A/I.pdf
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