STU13N60M2 - MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

codice articolo del costruttore

STU13N60M2

Numero parte interna

AX-STU13N60M2

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

169420 Pieces

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~~USD 1.656~~

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Specifiche per STU13N60M2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STU13N60M2

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

Serie : MDmesh™ II Plus

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 580pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 110W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : IPAK (TO-251)

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STU , STU13

Documenti per STU13N60M2

Schede tecniche : STU13N60M2.pdf

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Numero parte	Marca	Descrizione
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B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
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