PMPB215ENEA/FX - MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD

codice articolo del costruttore

PMPB215ENEA/FX

Numero parte interna

AX-PMPB215ENEA/FX

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2886815 Pieces

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Specifiche per PMPB215ENEA/FX

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMPB215ENEA/FX

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 215pF @ 40V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-DFN2020MD (2x2)

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMPB , PMPB215

Documenti per PMPB215ENEA/FX

Schede tecniche : PMPB215ENEA/FX.pdf

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