TPH3208PD - GANFET N-CH 650V 20A TO220

codice articolo del costruttore

TPH3208PD

Numero parte interna

AX-TPH3208PD

fabbricante

Transphorm

Breve descrizione

GANFET N-CH 650V 20A TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51954 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TPH3208PD

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPH3208PD

fabbricante : Transphorm

Descrizione : GANFET N-CH 650V 20A TO220

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 8V

Vgs (massimo) : ±18V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 96W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TPH , TPH3

Documenti per TPH3208PD

Schede tecniche : TPH3208PD.pdf

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