NVB25P06T4G - MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

codice articolo del costruttore

NVB25P06T4G

Numero parte interna

AX-NVB25P06T4G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22582 Pieces

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Specifiche per NVB25P06T4G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVB25P06T4G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 27.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 82 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1680pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 120W (Tj)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVB , NVB25

Documenti per NVB25P06T4G

Schede tecniche : NVB25P06T4G.pdf

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