BSB104N08NP3GXUSA1 - MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

codice articolo del costruttore

BSB104N08NP3GXUSA1

Numero parte interna

AX-BSB104N08NP3GXUSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

710105 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BSB104N08NP3GXUSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSB104N08NP3GXUSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta), 50A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 40V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 42W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Pacchetto / caso : 3-WDSON

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSB104 , BSB104N08

Documenti per BSB104N08NP3GXUSA1

Schede tecniche : BSB104N08NP3GXUSA1.pdf

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