IRF7779L2TR1PBF - MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

codice articolo del costruttore

IRF7779L2TR1PBF

Numero parte interna

AX-IRF7779L2TR1PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9416 Pieces

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Specifiche per IRF7779L2TR1PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF7779L2TR1PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 375A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6660pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.3W (Ta), 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET L8

Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric L8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF77 , IRF7779

Documenti per IRF7779L2TR1PBF

Schede tecniche : IRF7779L2TR1PBF.pdf

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