US1J-E3/5AT - DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

codice articolo del costruttore

US1J-E3/5AT

Numero parte interna

AX-US1J-E3/5AT

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4429355 Pieces

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Specifiche per US1J-E3/5AT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : US1J-E3/5AT

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AC (SMA)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : US1 , US1J-

Documenti per US1J-E3/5AT

Schede tecniche : US1J-E3/5AT.pdf

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